2N6851


  晶体管2N6851详情
型号:
2N6851
类型:
P沟道场效应管
耗散功率(PD): 【管壳温度(Tc)=25 ℃】
25 W
漏极电流(ID): 【管壳温度(Tc)=25 ℃】
4 A
漏极和源极电压(VDSS):
200 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):
0.8 Ω
封装:
TO-39

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