型号：	3DD102D
类型：	NPN三极管
集电极耗散功率（PC）：	2 W
集电极最大耗散功率（PCM）：	50 W
集电极最大允许电流（ICM）：	5 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：	300 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：	250 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：	4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：	1000 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：	2000 μA
特征频率（fT）：	1 MHz
直流放大系数（hFE）：	>20
芯片材质：	硅

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