型号：	3DD13001
类型：	NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：	1.2 W
集电极最大允许电流（ICM）：	0.2 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：	600 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：	400 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：	7 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：	100 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：	200 μA
特征频率（fT）：	8 MHz
直流放大系数（hFE）：	5~70
芯片材质：	硅
封装：	TO-92

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