3DD168D


  晶体管3DD168D详情
型号:
3DD168D
类型:
NPN三极管
集电极最大耗散功率(PCM):
150 W
集电极电流(IC):
15 A
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):
250 V
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO):
200 V
发射极与基极反向击穿电压(BVEBO):
5 V
集电极与发射极反向漏电流(ICEO):
2000 μA
集电极与发射极饱和电压(VCE(sat)): 【集电极电流(Ic)=7.5 A】
1.5 V
特征频率(fT):
1 MHz
直流放大系数(hFE):
15~270
封装:
F-3

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