3DD176B


  晶体管3DD176B详情
型号:
3DD176B
类型:
NPN三极管
集电极最大耗散功率(PCM):
300 W
集电极电流(IC):
30 A
集电极与基极最高耐压(VCBO):
150 V
集电极与发射极最高耐压(VCEO):
100 V
发射极与基极最高耐压(VEBO):
5 V
集电极与发射极反向漏电流(ICEO):
3000 μA
集电极与发射极饱和电压(VCE(sat)): 【集电极电流(Ic)=15 A】
2 V
特征频率(fT):
1 MHz
直流放大系数(hFE):
15~270
封装:
TO-3

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