3DD5017
晶体管3DD5017详情
型号:
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3DD5017
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类型: |
NPN三极管 |
集电极耗散功率(PC):
【集电极温度(Tc)=25 ℃】 |
50 W |
集电极电流(IC): |
12 A |
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO): |
1200 V |
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO): |
650 V |
发射极与基极反向击穿电压(BVEBO): |
6 V |
集电极与基极反向漏电流(ICBO): |
1000 μA |
发射极与基极反向漏电流(IEBO): |
10 μA |
集电极与发射极饱和电压(VCE(sat)):
【集电极电流(Ic)=5 A】 |
0.5 V |
特征频率(fT): |
2 MHz |
直流放大系数(hFE): |
15~35 |
封装: |
TO-3PHIS |
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