3DD5017


  晶体管3DD5017详情
型号:
3DD5017
类型:
NPN三极管
集电极耗散功率(PC): 【集电极温度(Tc)=25 ℃】
50 W
集电极电流(IC):
12 A
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):
1200 V
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO):
650 V
发射极与基极反向击穿电压(BVEBO):
6 V
集电极与基极反向漏电流(ICBO):
1000 μA
发射极与基极反向漏电流(IEBO):
10 μA
集电极与发射极饱和电压(VCE(sat)): 【集电极电流(Ic)=5 A】
0.5 V
特征频率(fT):
2 MHz
直流放大系数(hFE):
15~35
封装:
TO-3PHIS

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