3DG10E


　　晶体管3DG10E详情
型号：
3DG10E
类型：
NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：
0.5 W
集电极最大允许电流（ICM）：
0.1 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：
20 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：
4 V
特征频率（fT）：
300 MHz
直流放大系数（hFE）：
25~270
封装：
B-4

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