FQPF4N60
晶体管FQPF4N60详情
型号：
FQPF4N60
类型：
N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
36 W
漏极电流（ID）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】
2.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：
600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：
2.2 Ω
封装：
TO-220F
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