IPN70R900P7S(70S900)


　　晶体管IPN70R900P7S(70S900)详情
型号：
IPN70R900P7S(70S900)
类型：
N沟道场效应管
耗散功率（PD）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】
6.5 W
漏极电流（ID）： 【管壳温度（Tc）＝20 ℃】
6 A
漏极和源极电压（VDSS）：
700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：
0.9 Ω
封装：
SOT-223

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