IXFK26N120P
晶体管IXFK26N120P详情
型号：
IXFK26N120P
类型：
N沟道场效应管
耗散功率（PD）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】
960 W
漏极电流（ID）： 【管壳温度（Tc）＝25 ℃】
26 A
漏极和源极电压（VDSS）：
1200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：
0.5 Ω
封装：
TO-264
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